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存储器底层技术零突破 中天弘宇发布自主原创快闪存储器

  8月22日,中天弘宇集成电路有限责任公司在上海发布最新自主原创先进存储技术。

  据了解,中天弘宇运用“二次电子倍增注入浮栅”的物理现象,并利用其进行了创新结构设计,初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品。研发成功的新型快闪存储器具有完整自主知识产权体系,先进高效闪存研发成果,创新存算一体解决方案,同时还具有关键环节配合协同发展。

  该款产品创造性地对闪存存储进行重构,突破了20多年来阻碍闪存存储技术缩微扩容发展的瓶颈,使得其在同样的工艺条件下,可以做到大容量、小面积、低功耗,且有效解决大规模数据存储、运行一体化的技术性难题。为人工智能等行业发展,提供可靠、高效的存储技术解决方案。未来将进一步拓展应用领域,协同EDA工具、应用设计、制造、封装、测试一体化发展,为全球数字信息化浪潮提供优质的存储及存算一体化解决方案。

  该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利,其中多项核心专利已获批,专利体系化建设在不断完善之中。


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